商品详情

　生长方法

　Growth Method

　DSS

　导电型号

　Conductive Type

　P

　掺杂剂

　Dopant

　B

　电阻率

　Resistivity（ρ）

　1.0 -3.0Ω·cm

　少子寿命

　Minority Carrier Lifetime

　≥2μs(brick 硅块)

　氧含量

　Oxygen Content(oi)

　≤1.0*10¹⁸ at/cm3

　碳含量

　Carbon Content(c)

　≤1.0*10¹⁷ at/cm3

　硅片尺寸

　Size

　156*156±0.5mm

　倒角线角度

　Bebel Edge Angle

　45°± 10°

　倒角线宽度

　Bebel Edge Width

　0.5-2mm

　硅片厚度

　Thickness

　200±20 μm

　总厚度变化

　TTV

　≤30μm

　线痕

　Saw Mark

　≤15μm

　弯曲度/翘曲度

　Bow/Warp

　≤75μm

　崩边

　chip

　深度<0.3mm；长度<0.5mm。

　微裂纹

　Crack

　不允许

　外观

　Appearance

　目视检查无污点,缺口,孔洞和裂纹

　晶粒尺寸

　Crystal Grain

　≥1cm²