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适用于2″—8″硅片的腐蚀 。本设备的腐蚀槽和清洗槽间的转换由进口SEW驱动。
1.概述:清洗对象:晶片
⑴超声清洗,加热清洗为单槽定时控制,到时给予结束提示音。
⑵工艺过程:上料→支离子水超声清洗→去离子水加热清洗→去离子水冲洗→ 下 料
2.结构特点:本设备为柜体式,操作面带有透明门窗。
⑴槽体材料为德国进口聚丙烯(磁白色PP板),焊口采用SS外包
⑶加热槽装有温控表(pompon)和传感器。
⑷每个清洗槽互不影响,超声、冲洗清洗槽的上给水(冲洗清洗槽配有热水)、下排水为手动方式。 ⑸配有可调节式的排风装置。
⑹配有美国进口氮气枪。
⑺电控部分采用密封保护方式配有紧急停机及报警装置。