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  H4膜料的特性

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H4膜料的特性

成分

钛镧混合物

外观

1-4mm的黑色颗料

密度

5.9g/cm3

熔化温度

1800℃

沉积温度

2200~2300℃

沉积源

电子束

坩埚

铜或钼

氧气压力

0.8-2×10-4

沉积速率

0.2-0.8nm/秒

基片温度

大约30-300℃

 

H4膜层特性

基片温度

大约30℃ 300℃

50nm的折射率

1.99 2.12

400nm折射

2×10-4

吸收边缘

300nm

吸收边缘是指在膜厚为270nm的膜层上,透光率为80%的波长。

 

折射率的散布

基片温度

散布公式

大约30℃

n=1.887+25410/波长2

100℃

n=1.982+29820/波长2

300℃

n=2.009+28880/波长2

 

 

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